援引韓媒Naver報道，三星已經與美國Silicon Frontline Technology公司合作，在生產工藝上提高其半導體芯片的良率，以便在3 nm工藝上趕上TSMC。
報道稱，三星電子先進工藝的良品率很低從5 nm工藝開始，就存在成品率的問題，在4 nm和3 nm工藝中情況變得更糟據說三星3 nm溶液工藝量產以來，良品率沒有超過20%，量產進度陷入瓶頸
目前，三星在4nm和5nm工藝的節點上出現了與輸出相關的問題，公司不希望這個問題在3nm工藝上再次出現因此，我們希望與硅前線技術公司合作，幫助三星晶圓廠提升前端技術和芯片性能
本站了解到，這家美國公司提供芯片識別評估和防ESD技術ESD是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一，它是由制造過程中設備與金屬之間的摩擦引起的根據消息顯示，三星在芯片設計和生產過程中與Silicon Frontline進行了長期合作，并取得了令人滿意的結果該公司現在將在芯片驗證過程中使用其技術
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